Bosch: Reichweitenstärkere E-Autos dank SiC-Halbleiter

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    • Bosch: Reichweitenstärkere E-Autos dank SiC-Halbleiter

      Bosch wird in seinem Werk in Reutlingen künftig neue Halbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) produzieren. Diese bieten im Vergleich zu den bis dato eingesetzten Siliziumchips eine bessere elektrische Leitfähigkeit, was laut dem Konzern bis zu sechs Prozent mehr Reichweite aus E-Fahrzeugen kitzeln kann.
      Die Reichweite lasse sich mit den neuen SiC-Chips steigern bzw. könne bei gleicher Kapazität die Batterie kleiner ausfallen, heißt es aus der Bosch-Firmenzentrale. In der Leistungselektronik sorgten die neuartigen Chips dafür, dass 50 Prozent weniger Energie in Form von Wärme verloren gehe. „Umso effizienter kann die Leistungselektronik arbeiten und umso mehr Energie steht für den Antrieb und damit die Reichweite zur Verfügung“.
      Für die Zukunft sieht Bosch durch die Siliziumkarbid-Halbleiter noch weitere Einsparpotenziale gegeben: Angesichts der geringeren Wärmeverluste der Chips und da sie zudem bei höheren Betriebstemperaturen arbeiteten, könne die aufwendige Kühlung der Antriebskomponenten reduziert werden. Bosch spricht gar von „Chips aus einem Wundermaterial“. „Siliziumkarbid-Halbleiter werden die Elektromobilität nachhaltig verändern“, gibt sich Geschäftsführer Harald Kröger euphorisch.

      Laut „FAZ“ hat Bosch zunächst eine Summe im „dreistelligen Millionenbereich“ in eine Pilotlinie investiert. Ein erster Musterchip soll im kommenden Jahr präsentiert werden. Nach früheren Angaben pumpt Bosch insgesamt 500 Millionen Euro in das Werk in Reutlingen. Dort werden bereits seit 1971 Halbleiter für den Automobilsektor produziert.
      Klar ist, dass kein Auto, vor allem kein E-Fahrzeug mehr ohne Halbleiter auskommt. Die Marktaussichten sind entsprechend rosig. Bosch will allen voran von der wachsenden Nachfrage nach Chips in der Mobilität und im Bereich Internet der Dinge (IoT) profitieren. Dazu erweitert der Konzern aktuell seine Produktionskapazitäten: Zum Halbleiter-Werk in Reutlingen gesellt sich bald eine weitere Fabrik in Dresden. 2018 legte Bosch dort den Grundstein. In der neuen Stätte werden in der Fertigung sogenannte Wafer (kreisrunde Scheiben aus Silizium oder Siliziumkarbid) mit 300 Millimetern Durchmesser zum Einsatz kommen. So lassen sich laut Bosch aus einem Wafer nochmals erheblich mehr Chips gewinnen und entsprechend höhere Skaleneffekte erzielen. In Reutlingen arbeitet Bosch noch mit Halbleitern auf Basis der 150- und 200-Millimeter-Technologie.
      Bei der Dresdner Fabrik handelt es sich nach Angaben von Bosch um die größte Einzelinvestition in der mehr als 130-jährigen Geschichte des Unternehmens. Investitionssumme: über eine Milliarde Euro. Die ersten Mitarbeiter sollen dort im Frühjahr 2020 ihre Tätigkeit aufnehmen.
      faz.net, handelsblatt.com, bosch-presse.de

      Quelle: electrive.net
      Gruß
      Uwe
    • Ich lach mich schief :rofl:
      6% mehr Reichweite durch bessere Halbleiter?
      Eieiei, da fehlt ja im Winter die Wärme für die Wärmepumpe :ironie:

      Jetzt mal im Ernst: 6% mehr Reichweite?
      Wie soll das gehen?
      Wie heiß sind denn dann die Halbleiter vorher geworden? Da hätte man ja eine Dampfturbine mit treiben können.

      Immer diese Marketing-Gags. Vergleiche von heute zu 'ner Dampfmaschine.......

      Das muss mir mal jemand vorrechnen , wie das gehen könnte.

      Ich glaub, vor Jahren hatten wir schon mal so was ähnliches.
      Ist wohl wie mit dem Kofferraumvolumen der Autos, die jedes Jahr 20% größer werden und mittlerweile kann man einen Elefanten rein stellen..... :klugorange:
      Elektrisch seit 2017. aktuell: e-Golf MJ20, Polestar 2 Dual Motor MJ24
      PV 18kWp und Batterie BMZ 17 kWh + Notstromschaltung, kann tagsüber zu Hause laden
      Gruß, Bernd, P.S.: Auf die Kabeltrommel passen auch 12m 32A Kabel.
    • Kann ich mir fast nicht vorstellen. Wenn man normal fährt braucht man im Mittel vielleicht gerade mal 10 kW Leistung. Wenn der Umrichter 90 Prozent Wirkungsgrad hat, wäre die komplette Verlustleistung gerade mal 1 kW. Aber 1kW einsparen würde ich eher bei bestimmten Arbeitspunktes vermuten, die man im Normalbetrieb nur selten und dann nur kurz erreicht. Siliziumcarbid hat z.B. insbesondere bei hohen Schaltfrequenzen Vorteile, weil sie schneller schalten und dadurch weniger Schaltverluste als IGBT und Siliziumdioden haben. Diese hohen Schaltfrequenzen braucht man für hohe AC Frequenzen um noch einen halbwegs vernünftigen Sinusstrom hinzubekommen, also für hohe Drehzahlen beim Motor, höhere Geschwindigkeiten bei denen auch mehr Leistung umgesetzt wird.

      Wenn man z.B. eine Maschine mit einer Polpaarzahl von 3 hat und 500 Hz AC Frequenz, dreht die Maschine mit 167 Umdrehungen pro Sekunde, also 10.000 1/min. Die Schaltfrequenz muss dann noch hoch genug sein, dass ein Sinusverlauf angenähert wird. Ein Dreieck könnte man z.B. mit 4 Punkten abbilden, also bei 500 Hz AC mit 2 kHz Schaltfrequenz: 0, maximaler Strom in positiver Richtung, 0, maximaler Strom in negativer Richtung. So einfach geht es allerdings auch nicht, weil die Stromanstiegsgeschwindigkeit von Motorinduktivität und Last abhängt. Man bekäme also mit 2 kHz Schaltfrequenz hin. Um einem Sinus näher zu kommen, könnte man zwischen 0 und den Peak Werten z.B. noch 2 weitere Stützpunkte einfügen, dadurch wäre die nötige Schaltfrequenz dann schon verdreifacht, also 6 kHz. Wirklich schön wäre ein Sinus dann aber noch lange nicht. Auf dem Bild mit deutlich mehr Stützpunkten und somit noch höheren Schaltfrequenz sieht man in der Hüllkurve des Sinus noch immer deutlich den Stromripple auf den Phasen.
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      Gruß,
      Stephan

      Kraft macht keinen Lärm, sie ist da und wirkt. - Albert Schweitzer
    • Bosch steigert Reichweite von E-Autos mit Siliziumkarbid-Chips

      Reutlingen – Die Elektromobilität boomt und Bosch will von dieser Entwicklung im Bereich der Leistungshalbleiter profitieren. Der Technologiekonzern will mit Siliziumkarbid-Halbleitern (SiC) größere Reichweiten und geringere Ladezeiten bei Elektroautos erreichen. Anfang Dezember 2021 startet nun die Serienproduktion.

      Vor zwei Jahren hatte Bosch angekündigt, die Entwicklung von SiC-Chips voranzutreiben und in die Produktion einzusteigen. Seit Anfang 2021 produziert Bosch bereits die SiC-Chips, zunächst als Muster für die Erprobung bei den Kunden.

      Mehr Leistung durch Siliziumkarbid – hohes Marktwachstum erwartet

      Die Nachfrage nach Leistungshalbleitern aus Siliziumkarbid steigt wird weltweit kräftig steigen. So rechnet das Marktforschungs- und Beratungsunternehmen Yole damit, dass der gesamte SiC-Markt bis 2025 jedes Jahr im Schnitt um 30 Prozent auf mehr als 2,5 Milliarden US-Dollar wachsen wird, teilte Bosch mit. Mit rund 1,5 Milliarden US-Dollar soll der SiC-Automarkt den größten Anteil ausmachen.
      „Siliziumkarbid-Halbleiter haben eine große Zukunft. Wir wollen weltweit führend bei der Herstellung von SiC-Chips für die Elektromobilität werden“, sagt Harald Kröger, Geschäftsführer der Robert Bosch GmbH. In der Elektronik von Elektrofahrzeugen sorgen Siliziumkarbid-Chips dafür, dass Autofahrer mit einer Batterieladung beispielsweise deutlich weiterfahren können – im Schnitt rund sechs Prozent verglichen mit ihren Pendants aus Silizium.

      Bosch entwickelt hochkomplexes Fertigungsverfahren

      Seit Anfang 2021 produziert Bosch bereits, aber zunächst im Probebetrieb. Jetzt erfolgt der Startschuss für die Serienfertigung „Unsere Auftragsbücher sind voll. Grund ist die boomende Elektromobilität“, sagt Kröger. Künftig will Bosch die Fertigungskapazität von SiC-Leistungshalbleitern auf eine Stückzahl im dreistelligen Millionenbereich erhöhen. Dafür baut das Unternehmen auch bereits seine Reinraumfläche im Reutlinger Werk weiter aus.
      Parallel wird zudem an der zweiten Generation von SiC-Chips gearbeitet. Sie soll ab 2022 serienreif sein und an Effizienz weiter zulegen. Unterstützung bei der Entwicklung der innovativen Fertigungsverfahren für die SiC-Halbleiter erhält Bosch vom Bundesministerium für Wirtschaft und Energie (BMWi) im Rahmen des Programms „IPCEI Mikroelektronik“ (Important Project of Common European Interest).

      Geheimnis der hohen Leistung – ein Kohlenstoffatom richtig platziert

      Bei einem SiC-Chip wird in die Kristallstruktur des sonst für die Herstellung von Halbleitern eingesetzten hochreinen Siliziums ein Kohlenstoff-Atom platziert. Das verleiht dem Rohstoff besondere physikalische Eigenschaften: So ermöglichen Siliziumkarbid-Halbleiter höhere Schaltfrequenzen im Vergleich zu Silizium-Chips. Zudem geht nach Angaben von Bosch nur noch halb so viel Energie in Form von Wärme verloren, wodurch sich die Reichweite von E-Autos steigern lässt. Die Chips sind auch wichtig für 800-Volt-Systeme. Dort ermöglichen sie schnelleres Laden und mehr Leistung.

      Quelle: IWR Online
      Gruß
      Uwe